不過在實際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。
例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量 靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。
不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。
例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度 為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。
靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。
靶材密度越高，薄膜的性能越好。
此外，提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。
密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布 通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級。
對于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。
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品 名
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純度
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密度
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鍍膜優(yōu)勢色
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形狀
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常規(guī)尺寸
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應(yīng)用行業(yè)
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鈦鋁（TiAl）合金靶
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2N8-4N
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3.6-4.2
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玫瑰金/咖啡色
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圓柱形
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直 徑
60/65/95/100*30/32/40/45mm
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裝
飾
/
工
具
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純鉻（Cr）靶
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2N7-4N
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7.19
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白色/黑色
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圓柱形
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純鈦（Ti）靶）
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2N8-4N
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4.51
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金黃色/槍黑色
藍(lán)色/玫瑰紅
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圓柱形
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純鋯（Zr）靶
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2N5-4N
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6.5
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金色
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圓柱形
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純鋁（Al））靶
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4N-5N
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2.7
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銀色
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圓柱形
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純鎳（Ni）靶
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3N-4N
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8.9
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金屬本色
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圓柱形
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鎳釩（Ni）靶
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3N
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8.57
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藍(lán)綠色
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圓柱形
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純鈮（Nb）靶
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3N
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8.57
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白色
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圓柱形
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純鉭（Ta）靶
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3N5
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16.4
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黑色/紫色
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圓柱形
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純鉬（Mo）靶
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3N5
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10.2
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黑色
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圓柱形
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