在研究鈦陽(yáng)極薄膜的相組成時(shí)確定，氧化薄膜普通是倫琴（X射線）非晶質(zhì)薄膜，當(dāng)形成這薄膜時(shí)具有低的電位擊穿電平^按照某些作者的意見(jiàn)，在一定電壓條件下形成薄膜過(guò)程中發(fā)現(xiàn)的陽(yáng)極薄膜擊穿總是作隨著晶體的形成。 在陽(yáng)極氧化薄膜表面的鈦具有很髙的耐氧化程度。在二氧化鈦（Ti02)的下面發(fā)現(xiàn)了低分子量鈦的氧化物,當(dāng)提髙氧化物的形成電位時(shí)厚度增加，并旦薄膜中的低分子量的鈦氧化物部分減少。鈦的氧化物形成電位區(qū)內(nèi),在鈦表面發(fā)現(xiàn)了成分Ti50B到的鈦氧化物,這種范圍的鈦氧化物隨著陽(yáng)極電位的增加而轉(zhuǎn)變成二氧化鈦Ti02(八面石）這樣以來(lái)，根據(jù)陽(yáng)極電位增加的程度鈦的氧化薄膜成分發(fā)生變化，氧化程度從零轉(zhuǎn)變成很髙。