2月25日，該工業(yè)化示范裝置在峨嵋半導(dǎo)體材料研究所一次性開(kāi)車成功，通過(guò)對(duì)循環(huán)氫氣進(jìn)行純化，氫氣純度達(dá)到99.9999%以上，實(shí)現(xiàn)了合同的預(yù)期要求。截至6月3日，期間因其他原因曾歷經(jīng)兩次開(kāi)停車，共進(jìn)行了56天穩(wěn)定試驗(yàn)。

　　在多晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中，原料SiHCl3會(huì)帶進(jìn)各種超痕量金屬雜質(zhì)（ppb級(jí)），特別是BCl3和PCl3等以B和P的形式，在多晶硅上沉積會(huì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生很大影響；另外，由于各種原因還會(huì)帶進(jìn)CH4，O2，N2，H2O等痕量雜質(zhì)（ppm級(jí)），均會(huì)影響多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量。受吸附平衡和相平衡的限制，傳統(tǒng)變壓吸附和深冷技術(shù)難以對(duì)這些痕量和超痕量雜質(zhì)進(jìn)一步脫除。金屬鈀復(fù)合膜則通過(guò)完全不同的機(jī)理，對(duì)這些雜質(zhì)進(jìn)行有效攔截，使得各種雜質(zhì)含量降低百倍以上，可以明顯提高多晶硅產(chǎn)品純度和質(zhì)量。該技術(shù)是大連化物所經(jīng)過(guò)多年努力，在國(guó)內(nèi)外率先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的專利技術(shù)，這對(duì)于多晶硅生產(chǎn)具有重要的意義。

　　現(xiàn)場(chǎng)示范結(jié)果還表明，通過(guò)對(duì)循環(huán)氫氣進(jìn)行純化，僅有的兩批采用合成SiHCl3生產(chǎn)的多晶硅，質(zhì)量均達(dá)到了電子級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)；對(duì)于循環(huán)氫氣中含量有時(shí)會(huì)突然增大的甲烷或者氮?dú)猓炯兓b置可以不斷將這些雜質(zhì)從體系去除，經(jīng)過(guò)十幾小時(shí)的運(yùn)轉(zhuǎn)，使大循環(huán)體系的氫氣質(zhì)量得到明顯改善，甲烷和氮?dú)夂炕謴?fù)正常值；采用純化后的氫氣生產(chǎn)多晶硅，產(chǎn)品中金屬B和P的含量相對(duì)穩(wěn)定，說(shuō)明該純化器可以為多晶硅穩(wěn)定生產(chǎn)發(fā)揮保障作用。

　　該技術(shù)可應(yīng)用于我國(guó)幾十家多晶硅企業(yè)提升多晶硅生產(chǎn)技術(shù)，這對(duì)于推動(dòng)電子信息、半導(dǎo)體、LED照明和光伏發(fā)電等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。